Ik heb een onderdeeltje, waar ik met veel moeite datasheets bij gevonden heb. Het type is IRGBF20F, en de fabrikant is International Rectifier. Dit is het symbool:

n-channel (staat onder plaatje)
Description:
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT's) from International Rectifier have higher usable current than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantional benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
(typo's voorbehouden
)
Er staan een heleboel specs bij maar er staat in het groot het volgende:
VCES = 900V
VCE =< 4.3V
@VGE = 15V, IC = 5.3A
Behuizing is TO-220AB, en als iemand een onderdeel weet wat (ongeveer) aan die eisen voldoet dan zou ik heel blij zijn
.
n-channel (staat onder plaatje)
Description:
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT's) from International Rectifier have higher usable current than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantional benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
(typo's voorbehouden
Er staan een heleboel specs bij maar er staat in het groot het volgende:
VCES = 900V
VCE =< 4.3V
@VGE = 15V, IC = 5.3A
Behuizing is TO-220AB, en als iemand een onderdeel weet wat (ongeveer) aan die eisen voldoet dan zou ik heel blij zijn