Te hoog voltage op P channel gate

[leecher]

Ik wil de energievoorziening van een zonnepaneeltje kunnen schakelen met een ESP32. Het zonnepaneel kan een spanning van >20V genereren, maar vrijwel alle mosfets die ik vind gaan tot 20V gate-source voltage. Ik was wat aan het googelen naar een geschikte oplossing en kwam dit plaatje (hier) tegen:



Ik begrijp dit circuit niet helemaal. De poster heeft het over een hoge spanning die geschakelt moet worden (60-82V) en dit is blijkbaar een oplossing. Als de transistor uit staat, dan doet de voltage divider van R1 en R2 toch niks en is de spanning op je gate toch weer net zo goed die 60-82V? Of maakt dat niet uit zolang je mosfet uit staat?

- edit
volgende keer beter naar het icoontje van de mosfet kijken, de G en de S staan er notabene in

[ Voor 4% gewijzigd door leecher op 14-02-2024 20:45 ]

[memphis]

Het gaat om de spanning over de G en S, in dit geval door de zener kan die nooit hoger worden dan 15v

[Septillion]

Maar waarom wil je überhaupt high side schakelen? Heb je daar een reden voor?

[leecher]

Niet persé, het gaat om een waterniveau sensor waarbij ik dacht; Als je schakelt bij GND dan staat er altijd 24v op je sensor en als ome Ali hem niet goed waterdicht heeft gemaakt dan heb je een heel lang probleem en als je ESP32 er maar 2 seconden wat spanning op zet dan heb je maar 2 seconden een probleem

[Septillion]

Ik mis even de link tussen waterniveausensor en zonnepaneeltje?

Maar goed, zo lang je zwevende spanningen hebt maakt het geen drol uit of je V- of V+ schakelt

[Gethijsem]

Edit: verkeerd topic..

[ Voor 93% gewijzigd door Gethijsem op 16-02-2024 11:51 ]

[Limhes]

Septillion schreef op donderdag 15 februari 2024 @ 22:57:
Maar goed, zo lang je zwevende spanningen hebt maakt het geen drol uit of je V- of V+ schakelt

Met als aanvulling, dat de selectie N-MOSFETs groter is dan de P variant en dat ze doorgaans ook efficienter en goedkoper zijn. Het P-doping proces is lastiger dan het N-doping proces.

Dus als er niets op tegen is, inderdaad gewoon lekker low side switching met een N-FET. Bijkomend voordeel is dat als de switched load niet te hoog is (enkele ampères) en je alleen laagfrequent aan/uit switcht, je ook geen gate driver (tweede FET) nodig hebt maar direct een digitale uitgang (via een weerstandje) eraan kan hangen.

Als je een dergelijke schakeling zelf bouwt, zou ik wel wat TVS diodes toevoegen (géén zeners!) om de GS en GD max spanningen te clampen. Een gate-ground weerstand tegen latch-up is ook gratis en moet je ook toevoegen.

[Septillion]

@Limhes Zolang iets een vaste (en directe) gate aansturing heeft ben ik dan weer niet bang voor te hoge gate spanning. Dus zou ik zelf geen moeite steken in clamp diodes toe te voegen.

Heck, voor kleine mosfets ben ik zelfs te lui voor gate weerstanden

[Sine]

p-channel kan prima voor de voeding van een sensor, dat zijn maar mA's

Het schema wat de TS zelf al postte is daar prima voor. Voor 20V zou ik R2 wat kleiner maken (10k)

Als het echt enkel een sensor is met een paar mA verbruik kom je zelfs prima met een paar torretjes toe.


Voor 20V neem je dan 10k voor R2 en R3

[ Voor 52% gewijzigd door Sine op 17-02-2024 15:09 ]