Artikel over RibbonFET

[richy3908]

nieuws: Intel introduceert transistorarchitectuur RibbonFET voor gebruik vana...

@Xtuv

In dit artikel gaat het de ene keer over chips aan de achterkant van stroom voorzien en de andere keer over de onderkant:

Ook gaat Intel chips via de achterkant van stroom voorzien.

Dat is de naam die Intel geeft aan een techniek om chips vanaf de onderkant van stroom te voorzien.

Door chips vanaf de achterkant te voorzien van stroom, lekt er volgens Intel minder stroom en is het mogelijk om chips met een hogere kloksnelheid te maken.

Om de chips vanaf de achterkant van stroom te voorzien, wil Intel nano through silicon via's gebruiken.

Volgens Intel zijn wafers efficiënter te ontwerpen met de PowerVia-technologie, omdat de onderste laag dan kan worden ingezet voor de stroomtoevoer en de bovenste laag voor de transistors.

Snap ik het niet, of is het artikel inconsequent?

[Xtuv]

@richy3908 Inconsequenties eruit gehaald