Samsung begint met massaproductie van mram

[Sissors]

nieuws: Samsung begint met massaproductie van mram
@Koekiemonsterr

Het 28nm-fully-depleted silicon-on-insulator-procedé is een volwassen productieprocedé voor chips waarbij een extra laagje oxide over elk geleidend element wordt aangebracht, zodat alle elektronenbanen van elkaar geïsoleerd zijn.

Dat is wel een erg kromme beschrijving van FDSOI. Wat je hebt is dat over de hele wafer een laagje oxide is aangebracht, waarbij de transistoren (en meeste andere onderdelen) geisoleerd zijn van de rest van de wafer. FDSOI gebruikt een erg dunne laag, dus het is ook geen enorme isolatie, maar voldoende voor wat ze nodig hebben. Het effect is uiteindelijk dat alle transistoren op een laagje oxide liggen. Zie bijvoorbeeld plaatje van ST: https://www.st.com/conten...---technology/FD-SOI.html (die hebben het ontwikkelt, Samsung heeft licensie van hun erop).

[MadMarky]

Wat ik in dit artikel ook erg verwarrend vind is dat mram en emram zonder duiding door elkaar worden gebruikt. Na twee keer lezen denk ik dat het verschil is dat mram een geheugentype is, dat door Samsung emram genoemd wordt. Ben er alsnog niet zeker van...
Misschien is het handig om dit in de eerste alinea wat duidelijker neer te zetten.

[Olaf]

Hier en daar wat omgeschreven en aangevuld op basis van jullie opmerkingen. Dank! nieuws: Samsung begint met massaproductie van mram