Euv-lithografie moet zijn intrede maken bij de overstap naar de 10nm-node. Tot die tijd zou 193nm-immersion volstaan, maar dan zou wel double patterning nodig zijn. Voor 10nm zou triple patterning met 193i nodig zijn, terwijl met euv single patterning mogelijk zou zijn.
:strip_icc():strip_exif()/u/3550/S2462.jpg?f=community)
/u/247151/moppersmurf-60px.png?f=community)
