Het moge bekend zijn dat het schrijven naar tlc-geheugen in de 840-serie wat traag is. Dat is inherent aan de technologie: bij tlc-geheugen worden drie bits per cel opgeslagen, wat meerdere schrijfcycli op een enkele cel met zich meebrengt. Dit is vanzelfsprekend niet parallel te doen, aangezien het dezelfde cel is. Dat is ook de reden dat tlc-geheugen een stuk trager is dan mlc- en slc-geheugen, waar respectievelijk slechts twee en één bit naar elke geheugencel geschreven hoeft te worden.
Het beschrijven van een TLC-NAND cel is trager omdat het moeilijker is voor de hardware om de juiste lading aan te brengen. Er moet namelijk heel erg nauwkeurig gemeten worden tijdens het schrijfprocess - dit zorgt ervoor dat het langer duurt om een stabiele en correcte waarde te verkrijgen.
Het lezen is trouwens voor dezelfde reden trager - het duurt langer om de juiste spanning te meten aangezien de marges klein zijn en het langer duurt vooraleer de meting stabiel is.
:strip_icc():strip_exif()/u/264672/trap60x60.jpg?f=community)
:strip_exif()/u/72391/Pinky_and_the_Brain_-_Brain.gif?f=community)
/u/247151/moppersmurf-60px.png?f=community)