Artikel Spintronics, fundamentele fout?

[Graafvaag]

Artikel: IBM claimt grote doorbraak op gebied van spintronics-geheugen

Ik begrijp niet waarom er tot tweemaal gezegd wordt dat het de voordelen van flash combineert met de snelheid van RAM. Er is immers continue een 1GHz clock nodig om de data te refreshen. Dat heeft dus niets van flash en moet vaker gerefresht worden dan DRAM.

Volgens mij is dit een foutje van de redactie, in het originele artikel op computerworld.com wordt alleen gesproken over een verbeterde snelheid en datadichtheid. Daar zitten dan ook de voordelen van deze technologie. 'Spintronics' is dus een nieuwe manier om data op te slaan, in het lijstje van 'lading' en 'magnetisme'.

Even op een rijtje:

DRAM:
Data wordt opgeslagen in elektrische lading.
Refreshen is nodig in de orde van tientallen ms.

NAND Flash:
Data wordt opgeslagen in elektrische lading op niet-verbonden gates, die dus nagenoeg niet leeg lekken.
Refreshen is niet nodig in de orde van jaren..

Spintronics:
Data wordt opgeslagen in de quantum spin van elektronen.
Refreshen is nodig in de orde van 1ns.


Voor zover ik weet, is 'spintronics' dus een nieuwe technologie die moet leiden tot kleiner, sneller geheugen. (In vergelijking met DRAM) En IBM heeft dit dus nu op kleine schaal bruikbaar gemaakt.

Het heeft dus geen permanente opslagmogelijkheid.


Feedback?

[ Voor 3% gewijzigd door Graafvaag op 13-08-2012 17:58 ]

[PerfectLight]

Het zou dus wel kunnen als de "randomheid" uit de spin van de deeltjes gehaald kan worden. Zodra dit lukt is het mogelijk een deeltje een spin te geven, waarbij hij deze spin dus behoudt. Deze "randomheid" hebben ze nu voor 1ns buiten spel weten te zetten. Als ze dat voor langer lukt, dan zal er permanent geheugen gemaakt kunnen worden.

Dat ze dat nu nog niet gelukt is, wil niet zeggen dat dat niet het uiteindelijke doel van spintronics-geheugen zou zijn.

[Graafvaag]

We zijn er nog niet over uit. Ik heb naar de grenzen van mijn kennis gereageerd en het lid 'Flabber' droeg het al jaren bekende MRAM aan.

Maar als dit inderdaad MRAM is en non-volatile MRAM al bestaat, wat is dan precies de doorbraak? Dat lijkt me dus een aanwijzing dat ook dat niet klopt, maar zoals gezegd houdt hier mijn kennis een beetje op.