Ik heb een PC Medion MT5 8080 (2004), maar daar mijn Medion laptop het begeven heeft ga ik voorlopig terug op mijn oud beestje verder. De snelheid is natuurlijk niet erg goed daarom wou ik upgraden. Het moederbord heeft 4 banken en kan volgens de documentatie 4 x 1 Gb aan, momenteel steekt er 2 x 256 Mb in. Ik heb een hogere snelheid nodig omdat ik aantal beveiligingscamera's met streaming heb en streaming naar Tv doe en dan nog een aantal progjes die toch ook wel wat vragen. Ik heb de volgende vraag : Is 4 Gb overkill of toch uitstekend of is 2 Gb + eventueel de 2 x 256 Mb voldoende, dan heb ik 2,5 Gb, of is dat geen goede combinatie ?
Ik heb al nagekeken in het forum over Medion maar kan niets vinden over upgraden naar 4 Gb en het verschil tussen 2,5 Gb en 4 Gb.
Met dank alvast voor diegene die me hieruit kan helpen.
Ik heb de volgende aanbieding gevonden :
http://www.ebay.es/itm/1G...m2a182f1934#ht_500wt_1200
Is dit geheugen perfect voor de upgrade ?
EVEREST geeft het volgende :
Moederbordeigenschappen:
Moederbord ID 10/28/2004-Grantsdale-6A79DM4IC-00
Moederbordnaam Onbekend
Front Side Bus Eigenschappen:
Bus Type Intel NetBurst
Bus Breedte 64 bit
Werkelijke kloksnelheid 200 Mhz (QDR)
Effectieve kloksnelheid 800 Mhz
Bandbreedte 6400 MB/s
Geheugenbus-Eigenschappen:
Bus Type Dual DDR SDRAM
Bus Breedte 128 bit
Werkelijke kloksnelheid 200 Mhz (DDR)
Effectieve kloksnelheid 400 Mhz
Bandbreedte 6400 MB/s
Chipsetbus-Eigenschappen:
Bus Type Intel Direct Media Interface
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschappen:
CPU Type Intel Pentium 4E, 3400 MHz (17 x 200)
CPU Aanduiding Prescott
CPU stepping D0
Instructieset x86, MMX, SSE, SSE2, SSE3
Origineel kloksnelheid 3400 Mhz
Engineering Sample Nee
L1 Trace Cache 12K Instructions
L1 Data-cache 16 KB
L2 Cache 1 MB (On-Die, ECC, ATC, Full-Speed)
Multi CPU:
Moederbord ID OEM00000 PROD00000000
CPU #0 Intel(R) Pentium(R) 4 CPU 3.40GHz, 3391 Mhz
CPU #1 Intel(R) Pentium(R) 4 CPU 3.40GHz, 3391 Mhz
CPU Technische Informatie:
Verpakkingstype 775 Contact LGA
Verpakkingsformaat 3.75 cm x 3.75 cm
Transistoren 125 miljoen
Procestechnologie 7M, 90 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, High-K Gate, Strained Si
Verpakkingsoppervlak 112 mm2
Core Spanning 1.425 V
I/O Spanning 1.425 V
Typische prestatie 84 - 115 W (Afhankelijk van de kloksnelheid)
Maximale prestatie 101 - 151 W (Afhankelijk van de kloksnelheid)
CPU Fabrikant:
Firmanaam Intel Corporation
Productinformatie http://www.intel.com/products/browse/processor.htm
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM2: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Eigenschappen Geheugenmodule:
Modulenaam Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Serienummer F204D5D4h
Modulegrootte 256 MB (1 rows, 4 banks)
Moduletype Unbuffered
Geheugentype DDR SDRAM
Geheugensnelheid PC3200 (200 Mhz)
Modulebreedte 64 bit
Modulespanning SSTL 2.5
Foutdetectiemethode Geen
Verversingsfrequentie Gereduceerd (7.8 us), Self-Refresh
Geheugeninstellingen:
@ 200 Mhz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 Mhz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Geheugenmodule-eigenschappen:
Early RAS# Precharge Niet ondersteund
Auto-Precharge Niet ondersteund
Precharge All Niet ondersteund
Write1/Read Burst Niet ondersteund
Buffered Address/Control Inputs Niet ondersteund
Registered Address/Control Inputs Niet ondersteund
On-Card PLL (Clock) Niet ondersteund
Buffered DQMB Inputs Niet ondersteund
Registered DQMB Inputs Niet ondersteund
Differential Clock Input Ondersteund
Redundant Row Address Niet ondersteund
Geheugenmodulefabrikant:
Firmanaam Samsung
Productinformatie
Ik heb al nagekeken in het forum over Medion maar kan niets vinden over upgraden naar 4 Gb en het verschil tussen 2,5 Gb en 4 Gb.
Met dank alvast voor diegene die me hieruit kan helpen.
Ik heb de volgende aanbieding gevonden :
http://www.ebay.es/itm/1G...m2a182f1934#ht_500wt_1200
Is dit geheugen perfect voor de upgrade ?
EVEREST geeft het volgende :
Moederbordeigenschappen:
Moederbord ID 10/28/2004-Grantsdale-6A79DM4IC-00
Moederbordnaam Onbekend
Front Side Bus Eigenschappen:
Bus Type Intel NetBurst
Bus Breedte 64 bit
Werkelijke kloksnelheid 200 Mhz (QDR)
Effectieve kloksnelheid 800 Mhz
Bandbreedte 6400 MB/s
Geheugenbus-Eigenschappen:
Bus Type Dual DDR SDRAM
Bus Breedte 128 bit
Werkelijke kloksnelheid 200 Mhz (DDR)
Effectieve kloksnelheid 400 Mhz
Bandbreedte 6400 MB/s
Chipsetbus-Eigenschappen:
Bus Type Intel Direct Media Interface
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschappen:
CPU Type Intel Pentium 4E, 3400 MHz (17 x 200)
CPU Aanduiding Prescott
CPU stepping D0
Instructieset x86, MMX, SSE, SSE2, SSE3
Origineel kloksnelheid 3400 Mhz
Engineering Sample Nee
L1 Trace Cache 12K Instructions
L1 Data-cache 16 KB
L2 Cache 1 MB (On-Die, ECC, ATC, Full-Speed)
Multi CPU:
Moederbord ID OEM00000 PROD00000000
CPU #0 Intel(R) Pentium(R) 4 CPU 3.40GHz, 3391 Mhz
CPU #1 Intel(R) Pentium(R) 4 CPU 3.40GHz, 3391 Mhz
CPU Technische Informatie:
Verpakkingstype 775 Contact LGA
Verpakkingsformaat 3.75 cm x 3.75 cm
Transistoren 125 miljoen
Procestechnologie 7M, 90 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, High-K Gate, Strained Si
Verpakkingsoppervlak 112 mm2
Core Spanning 1.425 V
I/O Spanning 1.425 V
Typische prestatie 84 - 115 W (Afhankelijk van de kloksnelheid)
Maximale prestatie 101 - 151 W (Afhankelijk van de kloksnelheid)
CPU Fabrikant:
Firmanaam Intel Corporation
Productinformatie http://www.intel.com/products/browse/processor.htm
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM2: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Eigenschappen Geheugenmodule:
Modulenaam Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Serienummer F204D5D4h
Modulegrootte 256 MB (1 rows, 4 banks)
Moduletype Unbuffered
Geheugentype DDR SDRAM
Geheugensnelheid PC3200 (200 Mhz)
Modulebreedte 64 bit
Modulespanning SSTL 2.5
Foutdetectiemethode Geen
Verversingsfrequentie Gereduceerd (7.8 us), Self-Refresh
Geheugeninstellingen:
@ 200 Mhz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 Mhz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Geheugenmodule-eigenschappen:
Early RAS# Precharge Niet ondersteund
Auto-Precharge Niet ondersteund
Precharge All Niet ondersteund
Write1/Read Burst Niet ondersteund
Buffered Address/Control Inputs Niet ondersteund
Registered Address/Control Inputs Niet ondersteund
On-Card PLL (Clock) Niet ondersteund
Buffered DQMB Inputs Niet ondersteund
Registered DQMB Inputs Niet ondersteund
Differential Clock Input Ondersteund
Redundant Row Address Niet ondersteund
Geheugenmodulefabrikant:
Firmanaam Samsung
Productinformatie