nieuws: Samsung start massaproductie '20nm'-geheugen

[Sphere-]

nieuws: Samsung start massaproductie '20nm'-geheugen

In dit artikel wordt NAND Flash geheugen en DDR3 DRAM geheugen door elkaar gehaald:

De nand-chips voor ddr3-geheugen zullen volgens een ongespecificeerd procedé worden gemaakt.

Het persbericht spreekt over de opening van Line 16 waar in elk geval 20nm-class NAND Flash wordt gebakken.
Verder spreekt het persbericht over de start van de productie van 20nm-class DDR3 DRAM geheugen. Het is niet duidelijk in welke fabs de DRAM chips worden gebakken.

[ Voor 13% gewijzigd door Sphere- op 22-09-2011 18:21 ]

[willemdemoor]

Dat was een remnant van herschrijvingen... fixed