DDR 1 geheugen 2,5 en 2,6 volt.

[Verwijderd]

Mijn systeem wil ik upgraden van 512MB naar 2GB.

De handleiding van mijn moederbord: GA-8ISXT (PDF)

Nu kom ik het volgende probleem tegen: al het geheugen wat ik tegenkom is 2,6 Volt, mijn huidige geheugen is 2,5 Volt (Zie ook dump met EVEREST).

Krijg ik problemen als ik bijvoorbeeld dit geheugen ga plaatsen:
http://www.azerty.nl/producten/product_detail/?ID=1064

Dump met EVEREST Ultimate Edition 2006:


<sup>--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM1: Samsung M3 68L3223ETM-CCC ]

Memory Module Properties:
Module Name Samsung M3 68L3223ETM-CCC
Serial Number 410BAD3Bh (1001196353)
Manufacture Date Week 34 / 2003
Module Size 256 MB (1 rank, 4 banks)
Module Type Unbuffered
Memory Type DDR SDRAM
Memory Speed PC3200 (200 MHz)
Module Width 64 bit
Module Voltage SSTL 2.5
Error Detection Method None
Refresh Rate Reduced (7.8 us), Self-Refresh

Memory Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Memory Module Features:
Early RAS# Precharge Not Supported
Auto-Precharge Not Supported
Precharge All Not Supported
Write1/Read Burst Not Supported
Buffered Address/Control Inputs Not Supported
Registered Address/Control Inputs Not Supported
On-Card PLL (Clock) Not Supported
Buffered DQMB Inputs Not Supported
Registered DQMB Inputs Not Supported
Differential Clock Input Supported
Redundant Row Address Not Supported

Memory Module Manufacturer:
Company Name Samsung
Product Information http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM3: Samsung M3 68L3223ETM-CCC ]

Memory Module Properties:
Module Name Samsung M3 68L3223ETM-CCC
Serial Number 4110ADAFh (2947354689)
Manufacture Date Week 34 / 2003
Module Size 256 MB (1 rank, 4 banks)
Module Type Unbuffered
Memory Type DDR SDRAM
Memory Speed PC3200 (200 MHz)
Module Width 64 bit
Module Voltage SSTL 2.5
Error Detection Method None
Refresh Rate Reduced (7.8 us), Self-Refresh

Memory Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Memory Module Features:
Early RAS# Precharge Not Supported
Auto-Precharge Not Supported
Precharge All Not Supported
Write1/Read Burst Not Supported
Buffered Address/Control Inputs Not Supported
Registered Address/Control Inputs Not Supported
On-Card PLL (Clock) Not Supported
Buffered DQMB Inputs Not Supported
Registered DQMB Inputs Not Supported
Differential Clock Input Supported
Redundant Row Address Not Supported

Memory Module Manufacturer:
Company Name Samsung
Product Information http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm</sup>

[TERW_DAN]

In het ergste geval zul je in de bios +0,1V op het geheugen moeten zetten om het stabiel te laten draaien. Maar verder zal het niet echt problemen gaan geven.

[dion_b]

PMG Beleid

geef beslist géén ellenlange uitdraai van een of ander diagnoseprogramma

Toch geef je exact dat...

We vragen niet alleen om echte (handgeschreven) specs omdat dat beter leesbaar is, maar ook omdat je daar echt zelf achteraan moet gaan en zo (hopelijk) wat leert terwijl je aan het uitzoeken bent. In dit geval zou ik je met name aanraden om stil te staan bij wat een voltageindicatie op een DIMM eigenlijk betekent. Waar komt die voltage vandaan? Wat is zijn functie? En wat gebeurt er als je teveel danwel te weinig instelt?

Dan kom je waarschijnlijk vanzelf achter het antwoord. Kom je er niet uit, dan mag je een topic openen, maar doe dat dan een beetje normaal met gewoon de relevante specs, met melding van waar je zocht, op welke zoektermen, wat dat opleverde en vervolgens wat exact nog onduidelijk is. Op GoT modereren we op inzet, niet op kwantiteit text in topicstart