Ruzie met transistor

[RvL]

Hallo allemaal,

onderstaande schakeling is een schakeling die we gebruiken voor een project en die max. 2A moet kunnen leveren.

.

Het probleem is als volgt. Ik probeer de maximale belasting in real life te 'simuleren' door hier een 2,5 ohm weerstand (10w) voor in de plaats te zetten. Het nadeel is alleen dat er dan een maximale stroom van zo'n 600 mA gaat lopen in plaats van de beoogde 2A.

Op de basis komt een voltage van 3,3v te staan. De load komt aan collector kant, emitter hangt direct aan ground. Er gaat dan slechts 600 mA lopen.

Ook als ik de collector direct aan + hang en de load via emitter naar ground voer gaat er niet voldoende stroom lopen.

De stroom neemt wel toe naar mate de spanning op de basis verhoogt wordt, maar dit is niet de bedoeling (en ook niet zoals ik me de werking van een transistor voor de geest kan halen.

Dus de transistorfaq er bijgehaald, want ik zal ongetwijfeld iets fout doen, maar het enige verschil met het voorbeeld wat daar staat wat ik heb gevonden is R2 (10k tussen basis en ground). Als ik deze toevoeg maakt het geen verschil.

De gebruikte tor is een BD241C.

Wie weet raad?

[lemming_nl]

Er loopt niet genoeg stroom door je basis. Met de stroom die er nu loopt moet je transistor een versterking hebben van 380, dat heeft hij vast niet.

Ik heb even in de datasheet gekeken en je versterking is maar iets van 20.

[ Voor 20% gewijzigd door lemming_nl op 08-05-2007 14:22 ]

[RvL]

Ja inderdaad, dat is het. Dus misschien dat ik maar eens moet kijken naar een andere tor (darlington of zo).

[Sprite_tm]

...of je maakt r2 gewoon kleiner

[RvL]

Dat is inderdaad een oplossing om deze te verkleinen, maar de FPGA die de basis aan stuurt kan maximaal 10 mA leveren. Met de Hfe van 10 kom ik dan nog niet op de 2A uit.

[TweakPino]

Kijk anders ook eens naar een MOSFET, zoals een IRF540.

[RvL]

Dat wil ik wel doen, maar ik heb nog nooit gewerkt met MOSFETs. Is dit gewoon een kwestie van tor er uit, MOSFET er in en gaan met die banaan? Dat zal wel erg kort door de bocht zijn

[lemming_nl]

In sommige gevallen in het te makkelijk maar er zijn inderdaad mosfets die je zo in de plaats van een transistor kan zetten. Hoewel het voor jou moeilijk gaat worden want ik denk niet dat er fets zijn die goed werken bij 3,3V. Ik zou voor een darlington transistor gaan, die moet wel te vinden zijn met een versterking van 400. In de transistor FAQ staan er wel een paar.

[ Voor 51% gewijzigd door lemming_nl op 08-05-2007 15:16 ]

[RvL]

We hebben nu gekozen voor de TIP132. We moeten dan wel Vce iets verhogen omdat je nu niet 1x maar 2x de spanningsval van 0,6v hebt.

[guus.assmann]

Niet waar, de Vce hoeft niet omhoog. (Dit is overigens een gegeven van de transistor)
Wat je nu twee keer hebt is de Vbe, die is 2 keer 0,6V.
Maar met 3,3V is dat helemaal geen probleem.
De stroom die de basis in moet is 2,5A / hfe.
Een Darlington kun je ook opbouwen met twee transistoren.
Dan is de hfe gelijk aan de hfe van de ene transistor maal die van de tweede

Om een mosfet goed aan het werk te krijgen, moet je de gate op een voldoende hoge spanning brengen.
Als ik me goed herinner is dat voor een IRF640 ongeveer 8 V.

Let zowel bij de transistor, als ook bij de fet wel op dat je ze als schakelaar gebruikt en niet als regelaar.
Anders zal er ook een forse koelplaat nodig zijn.

[TweakPino]

Het klopt idd dat je voor een mosfet de gate-spanning wat hoger moet hebben. Je kunt ook nog kijken naar een logiclevel mosfet, zoals de MTP10N10EL, maar waarschijnlijk is een oplossing met een darlington transistor, zoals een TIP100 beter.